Détail de l'auteur
Auteur yannis tsividis |
Documents disponibles écrits par cet auteur (1)
Affiner la recherche Interroger des sources externes
Operation and modeling of the mos transistor / yannis tsividis
Titre : Operation and modeling of the mos transistor Type de document : texte imprimé Auteurs : yannis tsividis Mention d'édition : second ed. Editeur : new york : mc graw-hill Année de publication : 1999 Importance : 620 p. Présentation : ill. Format : 24 cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-0-07-116791-8 Note générale : index Langues : Anglais (eng) Mots-clés : operation modeling mos transistor Index. décimale : 621.381 Résumé : Unified, careful treatement. Starting from basic physical principles, MOS transistor phenomena are explained in a logical and systematic fashion, leading to relevant, working models.This rigorous treatment is complemented with extensive discussions. Operation and modeling of the mos transistor [texte imprimé] / yannis tsividis . - second ed. . - new york : mc graw-hill, 1999 . - 620 p. : ill. ; 24 cm.
ISBN : 978-0-07-116791-8
index
Langues : Anglais (eng)
Mots-clés : operation modeling mos transistor Index. décimale : 621.381 Résumé : Unified, careful treatement. Starting from basic physical principles, MOS transistor phenomena are explained in a logical and systematic fashion, leading to relevant, working models.This rigorous treatment is complemented with extensive discussions. Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité E017839 E620-621.381-12/ 01 Livre قاعة العلوم والتكنولوجيا والطب والعلوم الطبيعة والحياة 621 Physique appliquée Exclu du prêt