Détail de l'auteur
Auteur ALLAM, Zehor |
Documents disponibles écrits par cet auteur (1)
Affiner la recherche Interroger des sources externes
Etude d’un photodétecteur ultraviolet (UV) à base d’Al(GaN) et simulation de ses propriétés optoélectroniques / ALLAM, Zehor
Titre : Etude d’un photodétecteur ultraviolet (UV) à base d’Al(GaN) et simulation de ses propriétés optoélectroniques Type de document : texte imprimé Auteurs : ALLAM, Zehor, Auteur ; HAMDOUNE, Abdelkader, Auteur Editeur : Université tlemcen Année de publication : 2016 Importance : 106 p. Présentation : ill. Format : 30 cm Accompagnement : cd Langues : Français (fre) Langues originales : Français (fre) Résumé : Dans ce travail, nous avons étudié un dispositif photodétecteurAlGaN/GaN de type MSM. La modélisation et la simulation ont été effectuées en utilisant le simulateur SILVACO-TCAD : le diagramme de bandes d'énergie, lepotentiel, leprofil du champ électrique, lestaux de génération et de recombinaison et ladensité du courant de conduction ont été simulés. Sous obscurité nous avons obtenu un courant inférieur à 0.2 µA pour une tension appliquée de 10 V ; et sous lumière, nous avons obtenu un courant de 4 mA pour une tension de polarisation de 10 V, et une tension de seuil de l’ordre de 4 V. La vitesse des électrons diminuait quand la température augmentait, le meilleur courant est de 2.042 nA à une intensité lumineuse de 1 W/cm2 pour une longueur d’onde égale à 350 nm. Le rendement quantique externe à 350 nm était de l’ordre de 69.58% pour AlGaN dopé. Etude d’un photodétecteur ultraviolet (UV) à base d’Al(GaN) et simulation de ses propriétés optoélectroniques [texte imprimé] / ALLAM, Zehor, Auteur ; HAMDOUNE, Abdelkader, Auteur . - Université tlemcen, 2016 . - 106 p. : ill. ; 30 cm + cd.
Langues : Français (fre) Langues originales : Français (fre)
Résumé : Dans ce travail, nous avons étudié un dispositif photodétecteurAlGaN/GaN de type MSM. La modélisation et la simulation ont été effectuées en utilisant le simulateur SILVACO-TCAD : le diagramme de bandes d'énergie, lepotentiel, leprofil du champ électrique, lestaux de génération et de recombinaison et ladensité du courant de conduction ont été simulés. Sous obscurité nous avons obtenu un courant inférieur à 0.2 µA pour une tension appliquée de 10 V ; et sous lumière, nous avons obtenu un courant de 4 mA pour une tension de polarisation de 10 V, et une tension de seuil de l’ordre de 4 V. La vitesse des électrons diminuait quand la température augmentait, le meilleur courant est de 2.042 nA à une intensité lumineuse de 1 W/cm2 pour une longueur d’onde égale à 350 nm. Le rendement quantique externe à 350 nm était de l’ordre de 69.58% pour AlGaN dopé. Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité T07629 EDOC530-130/ 01 Thèse قاعة الأطروحات 530 Physique Exclu du prêt