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Auteur TALEB Ihsene, Yasser |
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Développement Des Propriétés Optiques Et Electroniques Des Nitrures III-V, Amélioration Des Performances Des composants Optoélectroniques. / TALEB Ihsene, Yasser
Titre : Développement Des Propriétés Optiques Et Electroniques Des Nitrures III-V, Amélioration Des Performances Des composants Optoélectroniques. Type de document : texte imprimé Auteurs : TALEB Ihsene, Yasser, Auteur ; GHELLAI, Nassera, Auteur Editeur : Université tlemcen Année de publication : 2018 Importance : 131 p. Présentation : ill. Format : 30 cm Accompagnement : cd Langues : Français (fre) Résumé : Dans les premières années du vingtième siècle les propriétés complexes des semi-conducteurs ont été essentiellement découvertes. L’un des grands domaines d’utilisation des semi-conducteurs est l’optoélectronique, qui se caractérise par l’interaction complexe des électrons et des photons à une échelle nanométrique. De nouveaux matériaux II-VI et III- V ont été utilisés dans l’élaboration des photodiodes. La diminution de la taille des dispositifs rend leurs performances en nette augmentation. Dans notre travail nous avons élaboré trois principales structures PIN à base de couche mince, multi puits quantiques et nanoparticules en utilisant l’indium de nitrure de gallium comme principal matériau de la zone active. Les résultats obtenus de notre simulation par SILVACO et Mathcad ont permis de démontrer le rôle des nanoparticules dans l’amélioration des propriétés électroniques et optique telle que la sensibilité, le rendement et les propriétés de transport. Développement Des Propriétés Optiques Et Electroniques Des Nitrures III-V, Amélioration Des Performances Des composants Optoélectroniques. [texte imprimé] / TALEB Ihsene, Yasser, Auteur ; GHELLAI, Nassera, Auteur . - Université tlemcen, 2018 . - 131 p. : ill. ; 30 cm + cd.
Langues : Français (fre)
Résumé : Dans les premières années du vingtième siècle les propriétés complexes des semi-conducteurs ont été essentiellement découvertes. L’un des grands domaines d’utilisation des semi-conducteurs est l’optoélectronique, qui se caractérise par l’interaction complexe des électrons et des photons à une échelle nanométrique. De nouveaux matériaux II-VI et III- V ont été utilisés dans l’élaboration des photodiodes. La diminution de la taille des dispositifs rend leurs performances en nette augmentation. Dans notre travail nous avons élaboré trois principales structures PIN à base de couche mince, multi puits quantiques et nanoparticules en utilisant l’indium de nitrure de gallium comme principal matériau de la zone active. Les résultats obtenus de notre simulation par SILVACO et Mathcad ont permis de démontrer le rôle des nanoparticules dans l’amélioration des propriétés électroniques et optique telle que la sensibilité, le rendement et les propriétés de transport. Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité T08545 EDOC530-158/ 01 Thèse قاعة الأطروحات 530 Physique Exclu du prêt