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Auteur OUAHRANI, Tarik |
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Contribution à l’´etude des propriétés dynamiques, structurales et chimiques des composés de type cristal défectif : étude du premier principe / DAHMANI, Mohammed
Titre : Contribution à l’´etude des propriétés dynamiques, structurales et chimiques des composés de type cristal défectif : étude du premier principe Type de document : texte imprimé Auteurs : DAHMANI, Mohammed, Auteur ; OUAHRANI, Tarik, Auteur Editeur : Université tlemcen Année de publication : 2017 Importance : 85 p. Présentation : ill. Format : 30 cm Langues : Français (fre) Résumé : La spécificité de ce travail réside dans l’étude de l’e?et de la pression hydrostatique sur deux polymorphes
de la famille des Adamantine défectifs, notamment le Ag2Hg?I4 et le Cu2Hg?I4. Ces deux composés
subissent des changements fascinants dans leurs caractéristiques physiques et chimiques lorsqu’ils sont
soumis à une pression extrême, c’est-à-dire une métallisation. Du faite que ce comportement trouve sont
implication dans la liaison électronique qui autrement le comportement chimiquement : une prédiction des
propriétés globales via le formalise de la théorie de la fonctionnelle de densité (DFT) est entamée. D’un
point de vue locale ou microscopique, nous avons choisit de faire une analyse topologique par deux approches,
celle de l’atome dans une molécule (AIM) et de la fonction de localisation électronique (ELF). Le
facteur clé trouvé de la fermeture du gap est en faite due à une dégénéréssance des bandes électroniques et
plus étroitement à un raccourcissement des distances atomiques causé par l’augmentation du degré d’ionicité
lorsque le rapport c/a diminue. Ce comportement pousse les deux composés à subirent une transition
ordre désordre vers une structure plus dense de caractère métallique. Ce travail est étayé par une mosaïque
de résultats théoriques qui devrait également contribué à comprendre ce phénomène dans d’autres systèmes
solides.Contribution à l’´etude des propriétés dynamiques, structurales et chimiques des composés de type cristal défectif : étude du premier principe [texte imprimé] / DAHMANI, Mohammed, Auteur ; OUAHRANI, Tarik, Auteur . - Université tlemcen, 2017 . - 85 p. : ill. ; 30 cm.
Langues : Français (fre)
Résumé : La spécificité de ce travail réside dans l’étude de l’e?et de la pression hydrostatique sur deux polymorphes
de la famille des Adamantine défectifs, notamment le Ag2Hg?I4 et le Cu2Hg?I4. Ces deux composés
subissent des changements fascinants dans leurs caractéristiques physiques et chimiques lorsqu’ils sont
soumis à une pression extrême, c’est-à-dire une métallisation. Du faite que ce comportement trouve sont
implication dans la liaison électronique qui autrement le comportement chimiquement : une prédiction des
propriétés globales via le formalise de la théorie de la fonctionnelle de densité (DFT) est entamée. D’un
point de vue locale ou microscopique, nous avons choisit de faire une analyse topologique par deux approches,
celle de l’atome dans une molécule (AIM) et de la fonction de localisation électronique (ELF). Le
facteur clé trouvé de la fermeture du gap est en faite due à une dégénéréssance des bandes électroniques et
plus étroitement à un raccourcissement des distances atomiques causé par l’augmentation du degré d’ionicité
lorsque le rapport c/a diminue. Ce comportement pousse les deux composés à subirent une transition
ordre désordre vers une structure plus dense de caractère métallique. Ce travail est étayé par une mosaïque
de résultats théoriques qui devrait également contribué à comprendre ce phénomène dans d’autres systèmes
solides.Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité T09058 EDOC530-195/ 01 Thèse قاعة العلوم والتكنولوجيا والطب والعلوم الطبيعة والحياة 530 Physique Exclu du prêt Etude et analyse de la densité électronique et de sa fonction de localisation dans une transition de phase d’un composé cristallin sous l’effet d’une pression hydrostatique : étude du premier principe / TAHRI, Khadra
Titre : Etude et analyse de la densité électronique et de sa fonction de localisation dans une transition de phase d’un composé cristallin sous l’effet d’une pression hydrostatique : étude du premier principe Type de document : texte imprimé Auteurs : TAHRI, Khadra, Auteur ; OUAHRANI, Tarik, Auteur Editeur : Université tlemcen Année de publication : 2018 Importance : 107 p. Présentation : ill. Format : 30 cm Accompagnement : cd Langues : Français (fre) Résumé : Une compréhension approfondie des aspects microscopiques des transformations chimiques nécessite une
connaissance du comportement des structures électroniques sous pression et son effet sur les électrons formant la
structure électronique du composé étudié. En se basant sur une étude ab-initio, nous nous concentrons dans cette
thèse sur l'analyse théorique des changements de liaisons chimiques le long de deux transitions de phases sous
l’effet d’une pression hydrostatique. La première sur un ensemble de composés iso-électroniques subissant une
métallisation le long du la séquence B3 B1, et la deuxième sur le composé ZnSiP2 de type chalcopyrite. Ce
dernier, subit à 30GPa une transition vers un état désordonné de type métallique suivit par une autre à 80GPa vers
une phase ordonnée. Pour cette tache, et afin d’étudier et caractériser ces transitions, nous employons un modèle
de type martensitique. Notre approche est basée sur la recherche de sous-groupe de symétrie commun entre les
phases parents. Au plus du sous groupe Imm2 utilisé dans l’étude des transformations B4-B1 de nos isoélectroniques.
Nous proposons un nouveau sous groupe décrivant le chemin de transition de phase subit par le
composé ZnSiP2. Ce chemin (Cc) requière une enthalpie d’activation assez faible et inférieure à 100 kJ/mol. A
l’aide de nos chemins et dans le but de suivre les changements des liaisons, nous appliquons une analyse
microscopique basée sur la topologie de la densité électronique. Nos résultats montrent que les changements de
coordination le long de la trajectoire de transition est facilement suivis en termes domaines électroniques, et que
la clé de leurs transformation se trouve dans la subdivision des basins des coeurs extérieurs des liaisons covalentes
ou ioniques.Etude et analyse de la densité électronique et de sa fonction de localisation dans une transition de phase d’un composé cristallin sous l’effet d’une pression hydrostatique : étude du premier principe [texte imprimé] / TAHRI, Khadra, Auteur ; OUAHRANI, Tarik, Auteur . - Université tlemcen, 2018 . - 107 p. : ill. ; 30 cm + cd.
Langues : Français (fre)
Résumé : Une compréhension approfondie des aspects microscopiques des transformations chimiques nécessite une
connaissance du comportement des structures électroniques sous pression et son effet sur les électrons formant la
structure électronique du composé étudié. En se basant sur une étude ab-initio, nous nous concentrons dans cette
thèse sur l'analyse théorique des changements de liaisons chimiques le long de deux transitions de phases sous
l’effet d’une pression hydrostatique. La première sur un ensemble de composés iso-électroniques subissant une
métallisation le long du la séquence B3 B1, et la deuxième sur le composé ZnSiP2 de type chalcopyrite. Ce
dernier, subit à 30GPa une transition vers un état désordonné de type métallique suivit par une autre à 80GPa vers
une phase ordonnée. Pour cette tache, et afin d’étudier et caractériser ces transitions, nous employons un modèle
de type martensitique. Notre approche est basée sur la recherche de sous-groupe de symétrie commun entre les
phases parents. Au plus du sous groupe Imm2 utilisé dans l’étude des transformations B4-B1 de nos isoélectroniques.
Nous proposons un nouveau sous groupe décrivant le chemin de transition de phase subit par le
composé ZnSiP2. Ce chemin (Cc) requière une enthalpie d’activation assez faible et inférieure à 100 kJ/mol. A
l’aide de nos chemins et dans le but de suivre les changements des liaisons, nous appliquons une analyse
microscopique basée sur la topologie de la densité électronique. Nos résultats montrent que les changements de
coordination le long de la trajectoire de transition est facilement suivis en termes domaines électroniques, et que
la clé de leurs transformation se trouve dans la subdivision des basins des coeurs extérieurs des liaisons covalentes
ou ioniques.Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité T08550 EDOC530-159/ 01 Thèse قاعة الأطروحات 530 Physique Exclu du prêt ETUDE DES PROPRIETES LOCALES DES SEMI-CONDUCTEURS SOUMIS A DES FORCES EXTERNES / BELAROUCI, Salim
Titre : ETUDE DES PROPRIETES LOCALES DES SEMI-CONDUCTEURS SOUMIS A DES FORCES EXTERNES Type de document : texte imprimé Auteurs : BELAROUCI, Salim, Auteur ; OUAHRANI, Tarik, Auteur Editeur : Université tlemcen Année de publication : 2019 Importance : 295 p. Présentation : ill. Format : 30 cm Accompagnement : cd Langues : Français (fre) Résumé : Afin de pouvoir moduler la largeur de la bande interdite du carbure de silicium (SiC) dans sa structure
bidimensionnelle en nid d’abeille ; nous avons effectué une étude systématique et phénoménologique basée sur la théorie
de la fonctionnelle de la densité (DFT). Le composé est soumis à deux différentes contraintes non hydrostatiques en Zigzag
et en Armchair. Les premiers résultats montrent que le Gap du SiC-2D subit un changement de son état qui est initialement
indirecte. Pour un taux de compression croissant ce Gap continue son évolution jusqu’à sa fermeture. Pour pouvoir donner
une interprétation adéquate à ce phénomène, nous présentons dans cette thèse une étude atomistique et microscopique
essentiellement basée sur des méthodes topologiques de la fonction d’onde. En particulier nous avons utilisé : le
formalisme de Bader, la fonction de localisation d’électron (ELF), ainsi que la technique (NCI) adaptée à l’analyse et à
l’identification des interactions non covalentes. Le choix de ces moyens mathématiques avancés est de pouvoir en premier
lieu d’étudier l’évolution des propriétés électroniques locales autour des liaisons covalentes Si-C, en deuxième lieu de
déterminer toutes les interactions non covalentes fortes et faibles à travers le gradient réduit de la densité de charge (RDG).
L’ensemble de taches ainsi effectuées, nous permet de conclure que sous l’action d’une compression uni-axiale en
direction Zigzag : le Gap du SiC bidimensionnelle peut être transformé en état directe, le caractère covalent de la structure
planaire du composé n'est pas influencé par la déformation. De plus la contrainte imposée augmente l’effet d’interactions
attractives stabilisantes, et en contrepartie permet de réduire l’effet répulsif déstabilisant de la structure SiC-2D, La
diminution de ces interactions sont compensées par l’apparition des interactions faibles ou de Van Der Waals. Finalement,
cette thèse fournit une mosaïque de résultats sur les propriétés électroniques qu’elle soit locales ou globales, qui prévoie
que l’application de contraintes sur des semi-conducteurs 2D est une alternative propice pour la création d’une nouvelle
génération de dispositifs électroniques.ETUDE DES PROPRIETES LOCALES DES SEMI-CONDUCTEURS SOUMIS A DES FORCES EXTERNES [texte imprimé] / BELAROUCI, Salim, Auteur ; OUAHRANI, Tarik, Auteur . - Université tlemcen, 2019 . - 295 p. : ill. ; 30 cm + cd.
Langues : Français (fre)
Résumé : Afin de pouvoir moduler la largeur de la bande interdite du carbure de silicium (SiC) dans sa structure
bidimensionnelle en nid d’abeille ; nous avons effectué une étude systématique et phénoménologique basée sur la théorie
de la fonctionnelle de la densité (DFT). Le composé est soumis à deux différentes contraintes non hydrostatiques en Zigzag
et en Armchair. Les premiers résultats montrent que le Gap du SiC-2D subit un changement de son état qui est initialement
indirecte. Pour un taux de compression croissant ce Gap continue son évolution jusqu’à sa fermeture. Pour pouvoir donner
une interprétation adéquate à ce phénomène, nous présentons dans cette thèse une étude atomistique et microscopique
essentiellement basée sur des méthodes topologiques de la fonction d’onde. En particulier nous avons utilisé : le
formalisme de Bader, la fonction de localisation d’électron (ELF), ainsi que la technique (NCI) adaptée à l’analyse et à
l’identification des interactions non covalentes. Le choix de ces moyens mathématiques avancés est de pouvoir en premier
lieu d’étudier l’évolution des propriétés électroniques locales autour des liaisons covalentes Si-C, en deuxième lieu de
déterminer toutes les interactions non covalentes fortes et faibles à travers le gradient réduit de la densité de charge (RDG).
L’ensemble de taches ainsi effectuées, nous permet de conclure que sous l’action d’une compression uni-axiale en
direction Zigzag : le Gap du SiC bidimensionnelle peut être transformé en état directe, le caractère covalent de la structure
planaire du composé n'est pas influencé par la déformation. De plus la contrainte imposée augmente l’effet d’interactions
attractives stabilisantes, et en contrepartie permet de réduire l’effet répulsif déstabilisant de la structure SiC-2D, La
diminution de ces interactions sont compensées par l’apparition des interactions faibles ou de Van Der Waals. Finalement,
cette thèse fournit une mosaïque de résultats sur les propriétés électroniques qu’elle soit locales ou globales, qui prévoie
que l’application de contraintes sur des semi-conducteurs 2D est une alternative propice pour la création d’une nouvelle
génération de dispositifs électroniques.Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité T08720 EDOC600-147/ 01 Thèse قاعة الأطروحات 600 Technologie Exclu du prêt