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Auteur TABERKIT, Mohammed Amine |
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Etude, conception et simulation numérique d’un transistor MOSFET biaxial contraint / TABERKIT, Mohammed Amine
Titre : Etude, conception et simulation numérique d’un transistor MOSFET biaxial contraint Type de document : texte imprimé Auteurs : TABERKIT, Mohammed Amine, Auteur ; BOUAZZA Guen, Ahlam, Auteur Editeur : Université tlemcen Année de publication : 2018 Importance : 154 p. Présentation : ill. Format : 30 cm Accompagnement : cd Langues : Français (fre) Résumé : Vu la forte demande de dispositifs électroniques plus rapides, de taille plus réduite et de plus
grandes performances, les chercheurs et les fabricants des dispositifs à semi-conducteurs font
beaucoup d’efforts pour faire face aux difficultés et défis afin d’améliorer les performances
de ces dispositifs à semi-conducteurs. Une des solutions consiste à appliquer du silicium
contraint aux dispositifs conventionnels de telle sorte que la structure du transistorMOSFET
sur substrat massif dite conventionnelle ne change pas totalement, par contre ses performances
s’améliorent. Afin d’accroître la mobilité et la vitesse de ces dispositifs électroniques,
les chercheurs font face à des problèmes liés principalement à la diminution de la taille des
dispositifs , ces problèmes sont connus sous le nom d’effets canaux courts. Le but de ce travail
est demener une recherche permettant l’étude et la conception assistée par ordinateur d’une
architecture améliorée de transistors MOSFET appelée un transistor biaxial contraint par
le biais du logiciel de simulation de process et dispositif SILVACO –TCAD. Les résultats que
nous avons obtenus, nous ont permis alors de déterminer les performances de ce dispositif
et de les comparer à celles du transistor conventionnel, afin de montrer l’importance de
l’introduction d’une contrainte en tension biaxiale dans l’accroissement de la mobilité des
porteurs et de la vitesse des dispositifs, permettant ainsi obtenir de meilleures performances
tout en continuant la mise à l’échelle.Etude, conception et simulation numérique d’un transistor MOSFET biaxial contraint [texte imprimé] / TABERKIT, Mohammed Amine, Auteur ; BOUAZZA Guen, Ahlam, Auteur . - Université tlemcen, 2018 . - 154 p. : ill. ; 30 cm + cd.
Langues : Français (fre)
Résumé : Vu la forte demande de dispositifs électroniques plus rapides, de taille plus réduite et de plus
grandes performances, les chercheurs et les fabricants des dispositifs à semi-conducteurs font
beaucoup d’efforts pour faire face aux difficultés et défis afin d’améliorer les performances
de ces dispositifs à semi-conducteurs. Une des solutions consiste à appliquer du silicium
contraint aux dispositifs conventionnels de telle sorte que la structure du transistorMOSFET
sur substrat massif dite conventionnelle ne change pas totalement, par contre ses performances
s’améliorent. Afin d’accroître la mobilité et la vitesse de ces dispositifs électroniques,
les chercheurs font face à des problèmes liés principalement à la diminution de la taille des
dispositifs , ces problèmes sont connus sous le nom d’effets canaux courts. Le but de ce travail
est demener une recherche permettant l’étude et la conception assistée par ordinateur d’une
architecture améliorée de transistors MOSFET appelée un transistor biaxial contraint par
le biais du logiciel de simulation de process et dispositif SILVACO –TCAD. Les résultats que
nous avons obtenus, nous ont permis alors de déterminer les performances de ce dispositif
et de les comparer à celles du transistor conventionnel, afin de montrer l’importance de
l’introduction d’une contrainte en tension biaxiale dans l’accroissement de la mobilité des
porteurs et de la vitesse des dispositifs, permettant ainsi obtenir de meilleures performances
tout en continuant la mise à l’échelle.Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité T08554 EDOC600-141/ 01 Thèse قاعة الأطروحات 600 Technologie Exclu du prêt