Titre : |
Etude d’un Amplificateur à faible bruit et haute linéarité LNA à base de Transistors pHEMT (InGaAs / InAlAs / InP) : Application aux hyperfréquences. |
Type de document : |
texte imprimé |
Auteurs : |
DJENNATI, Abderrahmane Zakarya, Auteur ; GHAFFOUR, Kheireddine, Auteur |
Editeur : |
Université tlemcen |
Année de publication : |
2017 |
Importance : |
120 p. |
Présentation : |
ill. |
Format : |
30 cm |
Accompagnement : |
cd |
Langues : |
Français (fre) Langues originales : Français (fre) |
Résumé : |
Les applications qu’englobe le domaine des radiofréquences, reposent sur une chaine de
transmission émetteur-récepteur. L’amplificateur à faible bruit LNA constitue l’amplificateur
de tête dans une chaine de réception. Le but de ce travail est d’étudier un amplificateur à
LNA à base de transistor pHEMT pour des applications en hyperfréquences. Un transistor
pHEMT a été conçu pour ce but, à base de matériaux InGaAs, InAlAs et InP avec une
longueur de grille de 250nm. Le travail de simulation et de caractérisation du pHEMT a
permis d’atteindre des performances HF de fT = 49 GHz et fmax= 55GHz avec un
NFmin=0.8dB. Les paramètres du modèle équivalent petit signal ont été extraits et
implémentés dans deux circuits amplificateurs : un LNA mono-étage à source commune et un
LNA double-étage à source commune. La simulation de ces circuits a montré une stabilité
inconditionnelle sur la bande de fréquences (2.4-5.2 GHz). Le LNA mono-étage a exhibé un
gain maximum de 12.7dB avec un facteur de bruit de 0.91dB et une linéarité jusqu’à une
puissance en sortie de 5.45dBm. Tandis que pour le LNA double-étage, un gain maximum de
23.3dB a été obtenu avec un facteur de bruit de 1.2dB et une linéarité jusqu’à une puissance
en sortie de 15dBm. |
Etude d’un Amplificateur à faible bruit et haute linéarité LNA à base de Transistors pHEMT (InGaAs / InAlAs / InP) : Application aux hyperfréquences. [texte imprimé] / DJENNATI, Abderrahmane Zakarya, Auteur ; GHAFFOUR, Kheireddine, Auteur . - Université tlemcen, 2017 . - 120 p. : ill. ; 30 cm + cd. Langues : Français ( fre) Langues originales : Français ( fre)
Résumé : |
Les applications qu’englobe le domaine des radiofréquences, reposent sur une chaine de
transmission émetteur-récepteur. L’amplificateur à faible bruit LNA constitue l’amplificateur
de tête dans une chaine de réception. Le but de ce travail est d’étudier un amplificateur à
LNA à base de transistor pHEMT pour des applications en hyperfréquences. Un transistor
pHEMT a été conçu pour ce but, à base de matériaux InGaAs, InAlAs et InP avec une
longueur de grille de 250nm. Le travail de simulation et de caractérisation du pHEMT a
permis d’atteindre des performances HF de fT = 49 GHz et fmax= 55GHz avec un
NFmin=0.8dB. Les paramètres du modèle équivalent petit signal ont été extraits et
implémentés dans deux circuits amplificateurs : un LNA mono-étage à source commune et un
LNA double-étage à source commune. La simulation de ces circuits a montré une stabilité
inconditionnelle sur la bande de fréquences (2.4-5.2 GHz). Le LNA mono-étage a exhibé un
gain maximum de 12.7dB avec un facteur de bruit de 0.91dB et une linéarité jusqu’à une
puissance en sortie de 5.45dBm. Tandis que pour le LNA double-étage, un gain maximum de
23.3dB a été obtenu avec un facteur de bruit de 1.2dB et une linéarité jusqu’à une puissance
en sortie de 15dBm. |
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