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Simulation et contribution à l’amélioration de la structure d’un DHFET à base de matériaux binaires-ternaires innovants (B,Ga,Al,In)N. / BELARBI, Abdelmalik
Titre : Simulation et contribution à l’amélioration de la structure d’un DHFET à base de matériaux binaires-ternaires innovants (B,Ga,Al,In)N. Type de document : texte imprimé Auteurs : BELARBI, Abdelmalik, Auteur ; HAMDOUNE, Abdelkader, Auteur Editeur : Université tlemcen Année de publication : 2019 Importance : 103 p. Présentation : ill. Format : 30 cm Accompagnement : cd Langues : Français (fre) Résumé : Les transistors à effet de champ à double-hétérojonction (DH-FETs) à base des matériaux nitrurés apparaissent comme les meilleurs candidats pour les applications de puissance et hyperfréquence. Ces transistors intéressent les domaines militaire et civil.
Notre travail consiste à simuler un transistor DH-FET à base des matériaux binaires-ternaires innovants (B,Ga,Al,In)N , afin d’améliorer ses performances fréquentielles. L’utilisation de ces matériaux nous a permis d’avoir de meilleures performances en termes de courant de sortie, tension de seuil, rapport Ion/Ioff, courant de fuite de la grille, fréquence de transition et fréquence maximale d’oscillation.Simulation et contribution à l’amélioration de la structure d’un DHFET à base de matériaux binaires-ternaires innovants (B,Ga,Al,In)N. [texte imprimé] / BELARBI, Abdelmalik, Auteur ; HAMDOUNE, Abdelkader, Auteur . - Université tlemcen, 2019 . - 103 p. : ill. ; 30 cm + cd.
Langues : Français (fre)
Résumé : Les transistors à effet de champ à double-hétérojonction (DH-FETs) à base des matériaux nitrurés apparaissent comme les meilleurs candidats pour les applications de puissance et hyperfréquence. Ces transistors intéressent les domaines militaire et civil.
Notre travail consiste à simuler un transistor DH-FET à base des matériaux binaires-ternaires innovants (B,Ga,Al,In)N , afin d’améliorer ses performances fréquentielles. L’utilisation de ces matériaux nous a permis d’avoir de meilleures performances en termes de courant de sortie, tension de seuil, rapport Ion/Ioff, courant de fuite de la grille, fréquence de transition et fréquence maximale d’oscillation.Exemplaires (1)
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