Titre : |
Simulation numérique à 2D de performances électriques des composantes CMOS à Double Grille |
Type de document : |
texte imprimé |
Auteurs : |
BEKADDOUR, Abderrezak, Auteur ; CHABANE, SARI Nasr-Eddine, Auteur |
Editeur : |
Université tlemcen |
Année de publication : |
2021 |
Importance : |
131 p. |
Présentation : |
ill. |
Format : |
30 cm |
Accompagnement : |
cd |
Langues : |
Français (fre) |
Résumé : |
Les recherches sur la simulation numérique de dispositifs à semi-conducteurs continue
à faire l’objet d’études intensives dans le monde.
Actuellement la technologie dans le monde de l’électronique est basé sur la performance
des dispositifs à semiconducteurs; leur réalisation passe par des étapes
coûteuses et dans certain cas très difficiles. On espère, par ce biais, pouvoir prévoir
le comportement, a priori, de dispositifs avant leur réalisation effective ou, en partant
d’un états de l’art technologique donné, d’optimiser leurs paramètres technologiques.
L’étude des propriétés électroniques d’un dispositif à semi-conducteur, ainsi que la
distribution du potentiel électrique, la concentration des électrons, LDOS, DIBL, et
le courant, peuvent être obtenues par la résolution du modèle de Shrodinger-Poisson.
• Dans un premier chapitre, on s’intéresse à la démonstration du modéle de Shrodinger-
Poisson qui est basé essentiellement sur une théorie fondamentale définie par la
théorie quantique et la théorie de électromagnétisme de Mawxell.
• Nous avons, dans un second chapitre, donné succinctement une étude des techniques
mathématique et la mise en oeuvre numérique général.
• Le troisième chapitre est consacrè à la simulation de la diode tunnel résonnante à
double barrière et qu’elle est modélisé par un modèle unidimensionnel.
• Dans un quatrième chapitre, nous avons présenté une étude rigoureux du nano
transistor Si-MOSFET á double grille, physiquement et électriquement par un modèle
à 2D et sans oublié aussi sa technologie.
• Le dernier chapitre est consacré essentiellement à l’aspect numérique, c’est-à-dire
Méthode déterministe pour évaluer la variabilité de la tension de seuil (threshold
voltage) par des charges ponctuelles de piégeage dan le nano-fils Si-GAA. |
Simulation numérique à 2D de performances électriques des composantes CMOS à Double Grille [texte imprimé] / BEKADDOUR, Abderrezak, Auteur ; CHABANE, SARI Nasr-Eddine, Auteur . - Université tlemcen, 2021 . - 131 p. : ill. ; 30 cm + cd. Langues : Français ( fre)
Résumé : |
Les recherches sur la simulation numérique de dispositifs à semi-conducteurs continue
à faire l’objet d’études intensives dans le monde.
Actuellement la technologie dans le monde de l’électronique est basé sur la performance
des dispositifs à semiconducteurs; leur réalisation passe par des étapes
coûteuses et dans certain cas très difficiles. On espère, par ce biais, pouvoir prévoir
le comportement, a priori, de dispositifs avant leur réalisation effective ou, en partant
d’un états de l’art technologique donné, d’optimiser leurs paramètres technologiques.
L’étude des propriétés électroniques d’un dispositif à semi-conducteur, ainsi que la
distribution du potentiel électrique, la concentration des électrons, LDOS, DIBL, et
le courant, peuvent être obtenues par la résolution du modèle de Shrodinger-Poisson.
• Dans un premier chapitre, on s’intéresse à la démonstration du modéle de Shrodinger-
Poisson qui est basé essentiellement sur une théorie fondamentale définie par la
théorie quantique et la théorie de électromagnétisme de Mawxell.
• Nous avons, dans un second chapitre, donné succinctement une étude des techniques
mathématique et la mise en oeuvre numérique général.
• Le troisième chapitre est consacrè à la simulation de la diode tunnel résonnante à
double barrière et qu’elle est modélisé par un modèle unidimensionnel.
• Dans un quatrième chapitre, nous avons présenté une étude rigoureux du nano
transistor Si-MOSFET á double grille, physiquement et électriquement par un modèle
à 2D et sans oublié aussi sa technologie.
• Le dernier chapitre est consacré essentiellement à l’aspect numérique, c’est-à-dire
Méthode déterministe pour évaluer la variabilité de la tension de seuil (threshold
voltage) par des charges ponctuelles de piégeage dan le nano-fils Si-GAA. |
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