Titre : |
Analyse et modélisation des mécanismes de transport électronique dans les dispositifs à effet de champ à l’aide des techniques Monte Carlo : Application au MESFET à base de carbure de silicium GaSb et ternaires |
Type de document : |
texte imprimé |
Auteurs : |
BELHADJI, Youcef, Auteur ; Benyounès, BOUAZZA, Auteur |
Editeur : |
Université tlemcen |
Année de publication : |
2016 |
Importance : |
149 p. |
Présentation : |
ill. |
Format : |
30 cm |
Accompagnement : |
cd |
Langues : |
Français (fre) Langues originales : Français (fre) |
Résumé : |
La modélisation et la simulation des phénomènes physiques,
régissant le fonctionnement des dispositifs électroniques fortement
submicronique, constitue une étape primordiale dans le processus de réalisation
pratique. La simulation ne peut être effectuée sans avoir recours à des modèles
numériques adéquats. Ainsi, la miniaturisation rapide des dispositifs exige des
modèles physiques puissants, comme celui de la dérive-diffusion ou le modèle
hydrodynamique, afin de reproduire quasi-fidèlement l’effet de tous les
phénomènes physiques misent en jeux. La méthode de Monte Carlo est l’une des
méthodes les plus précises et répondue dans ce genre d’étude, sauf qu’elle
nécessite plus de ressources de calcul. Cependant, le temps de calcul, dans la
méthode de Monte Carlo, peut être réduit en utilisant des approches bien
adaptées. Dans cette thèse, la méthode Monte Carlo a été exploitée pour
analyser le comportement du transistor MESFET submicronique en carbure de
silicium (et d’autres semiconducteurs) pour les applications de haute température
et de forte puissance d’une part et l’extraction des caractéristiques de transport
électronique d’autre part. Les démarches d’implémentation de la méthode de
Monte Carlo, de la structure simulée ainsi que les différentes conditions de
polarisation, de dopage et de la température sont exposées. Les résultats
enregistrés ont été valorisés avec de nombreux travaux de recherche |
Analyse et modélisation des mécanismes de transport électronique dans les dispositifs à effet de champ à l’aide des techniques Monte Carlo : Application au MESFET à base de carbure de silicium GaSb et ternaires [texte imprimé] / BELHADJI, Youcef, Auteur ; Benyounès, BOUAZZA, Auteur . - Université tlemcen, 2016 . - 149 p. : ill. ; 30 cm + cd. Langues : Français ( fre) Langues originales : Français ( fre)
Résumé : |
La modélisation et la simulation des phénomènes physiques,
régissant le fonctionnement des dispositifs électroniques fortement
submicronique, constitue une étape primordiale dans le processus de réalisation
pratique. La simulation ne peut être effectuée sans avoir recours à des modèles
numériques adéquats. Ainsi, la miniaturisation rapide des dispositifs exige des
modèles physiques puissants, comme celui de la dérive-diffusion ou le modèle
hydrodynamique, afin de reproduire quasi-fidèlement l’effet de tous les
phénomènes physiques misent en jeux. La méthode de Monte Carlo est l’une des
méthodes les plus précises et répondue dans ce genre d’étude, sauf qu’elle
nécessite plus de ressources de calcul. Cependant, le temps de calcul, dans la
méthode de Monte Carlo, peut être réduit en utilisant des approches bien
adaptées. Dans cette thèse, la méthode Monte Carlo a été exploitée pour
analyser le comportement du transistor MESFET submicronique en carbure de
silicium (et d’autres semiconducteurs) pour les applications de haute température
et de forte puissance d’une part et l’extraction des caractéristiques de transport
électronique d’autre part. Les démarches d’implémentation de la méthode de
Monte Carlo, de la structure simulée ainsi que les différentes conditions de
polarisation, de dopage et de la température sont exposées. Les résultats
enregistrés ont été valorisés avec de nombreux travaux de recherche |
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