Titre : |
Analyse et modélisation de l’effet de la température sur les caractéristiques électriques d’un H.B.T de puissance |
Type de document : |
texte imprimé |
Auteurs : |
Mokeddem, Nadjet, Auteur ; GHAFFOUR, Kheireddine, Auteur |
Editeur : |
Université tlemcen |
Année de publication : |
2020 |
Importance : |
142 p. |
Présentation : |
ill. |
Format : |
30 cm |
Accompagnement : |
cd |
Langues : |
Français (fre) |
Résumé : |
À l’heure actuelle, la demande en électronique de puissance ne cesse d’augmenter en raison de
l’augmentation du nombre d’utilisateurs et du nombre d’applications possibles. Pour répondre aux
besoins de génération de puissance, plusieurs technologies de semi-conducteurs peuvent être
envisagées. Les travaux développés au cours de cette thèse constituent une contribution à la
caractérisation et la modélisation d’une filière de transistor HBT InGaP/GaAs fabriquées à UMS,
composant potentiel pour les applications de puissance. L'objectif est de démontrer l’effet de la
température sur les paramètres physiques et électriques du HBT. La stabilité thermique étant la
principale limitation des HBTs devant fonctionner à des niveaux de puissance élevés, il devient par
conséquent indispensable d’inclure et de comprendre les phénomènes que les variations de la
température impliquent. Nous avons, au travers d’une étude bibliographique et d’une modélisation
détaillé analysé l’influence des effets de la température sur le fonctionnement des transistors, ce qui a
permis de montrer que l’élévation de température dans des conditions normales de fonctionnement
avait des répercussions au niveau statique, l’effet principal est de réduire l’efficacité d’injection
émetteur-base, ce qui se traduit par une diminution du gain en courant β ainsi qu’une diminution de la
tension de conduction des jonctions et de la mobilité des porteurs. Aussi au niveau dynamique, une
augmentation de température se traduit par une baisse des fréquences de transition et maximales
d’oscillation. En clair, une forte élévation de température altère de façon importante les performances
des transistors. |
Analyse et modélisation de l’effet de la température sur les caractéristiques électriques d’un H.B.T de puissance [texte imprimé] / Mokeddem, Nadjet, Auteur ; GHAFFOUR, Kheireddine, Auteur . - Université tlemcen, 2020 . - 142 p. : ill. ; 30 cm + cd. Langues : Français ( fre)
Résumé : |
À l’heure actuelle, la demande en électronique de puissance ne cesse d’augmenter en raison de
l’augmentation du nombre d’utilisateurs et du nombre d’applications possibles. Pour répondre aux
besoins de génération de puissance, plusieurs technologies de semi-conducteurs peuvent être
envisagées. Les travaux développés au cours de cette thèse constituent une contribution à la
caractérisation et la modélisation d’une filière de transistor HBT InGaP/GaAs fabriquées à UMS,
composant potentiel pour les applications de puissance. L'objectif est de démontrer l’effet de la
température sur les paramètres physiques et électriques du HBT. La stabilité thermique étant la
principale limitation des HBTs devant fonctionner à des niveaux de puissance élevés, il devient par
conséquent indispensable d’inclure et de comprendre les phénomènes que les variations de la
température impliquent. Nous avons, au travers d’une étude bibliographique et d’une modélisation
détaillé analysé l’influence des effets de la température sur le fonctionnement des transistors, ce qui a
permis de montrer que l’élévation de température dans des conditions normales de fonctionnement
avait des répercussions au niveau statique, l’effet principal est de réduire l’efficacité d’injection
émetteur-base, ce qui se traduit par une diminution du gain en courant β ainsi qu’une diminution de la
tension de conduction des jonctions et de la mobilité des porteurs. Aussi au niveau dynamique, une
augmentation de température se traduit par une baisse des fréquences de transition et maximales
d’oscillation. En clair, une forte élévation de température altère de façon importante les performances
des transistors. |
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