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Auteur Mohammed Amine DAHAOUI |
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Application de l’AFM et de la Spectrophotométrie dans la Caractérisation des Semi-Conducteurs III-N. / Mohammed Amine DAHAOUI
Titre : Application de l’AFM et de la Spectrophotométrie dans la Caractérisation des Semi-Conducteurs III-N. Type de document : texte imprimé Auteurs : Mohammed Amine DAHAOUI, Auteur Année de publication : 2013 Importance : 85p. Présentation : ill. Format : 30cm. Langues : Français (fre) Mots-clés : Mots Clés : Semi-conducteurs III-N, AFM, Spectrophotométrie, SILVACO,
Energie de gap, morphologie, I-V, P-I
Key words: III-N Semiconductors, AFM, Light spectroscopy, SILVACO,
Gap energy, morphology, I-V, P-IRésumé : Résumé :
Ce travail porte sur l’application de l’AFM et de la Spectrophotométrie dans la
caractérisation des Semi-conducteurs III-N. La caractérisation par AFM des
matériaux GaN et AlN a permis de déduire les caractéristiques morphologiques
des différents matériaux analysés. Tandis que l’étude optique effectuée par
spectrophotométrie a permis de déterminer l’énergie de gap des échantillons
étudiés. La conception par simulation d’une diode électroluminescente bleue Ã
base de GaN effectuée sous SILVACO a permis d’extraire les caractéristiques
électriques (I-V, P-I) de la LED ainsi que d’autre caractéristiques comme la
longueur d’onde émise et la concentration des électrons et des trous en fonction
de la profondeur.
Abstract:
This work deals with the application of AFM and light spectroscopy in the
characterization of III-N semiconductors. The AFM characterization led to the
morphological properties whereas the optical study led to the gap energy of the
analyzed samples. With SILVACO simulation electrical properties (I-V, P-I) of
a GaN blue LED are obtained. The emitted wavelength and holes also electrons
carriers versus the depth are also found.Application de l’AFM et de la Spectrophotométrie dans la Caractérisation des Semi-Conducteurs III-N. [texte imprimé] / Mohammed Amine DAHAOUI, Auteur . - 2013 . - 85p. : ill. ; 30cm.
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Mots Clés : Semi-conducteurs III-N, AFM, Spectrophotométrie, SILVACO,
Energie de gap, morphologie, I-V, P-I
Key words: III-N Semiconductors, AFM, Light spectroscopy, SILVACO,
Gap energy, morphology, I-V, P-IRésumé : Résumé :
Ce travail porte sur l’application de l’AFM et de la Spectrophotométrie dans la
caractérisation des Semi-conducteurs III-N. La caractérisation par AFM des
matériaux GaN et AlN a permis de déduire les caractéristiques morphologiques
des différents matériaux analysés. Tandis que l’étude optique effectuée par
spectrophotométrie a permis de déterminer l’énergie de gap des échantillons
étudiés. La conception par simulation d’une diode électroluminescente bleue Ã
base de GaN effectuée sous SILVACO a permis d’extraire les caractéristiques
électriques (I-V, P-I) de la LED ainsi que d’autre caractéristiques comme la
longueur d’onde émise et la concentration des électrons et des trous en fonction
de la profondeur.
Abstract:
This work deals with the application of AFM and light spectroscopy in the
characterization of III-N semiconductors. The AFM characterization led to the
morphological properties whereas the optical study led to the gap energy of the
analyzed samples. With SILVACO simulation electrical properties (I-V, P-I) of
a GaN blue LED are obtained. The emitted wavelength and holes also electrons
carriers versus the depth are also found.Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité BFST557 MS/531.6-35/01 thèse Salle d'accès libre 531.6 Energies Disponible