Titre : |
Etude d’un photodétecteur ultraviolet (UV) à base d’Al(GaN) et simulation de ses propriétés optoélectroniques. |
Type de document : |
texte imprimé |
Auteurs : |
ZEHOR ALLAM, Auteur |
Année de publication : |
2016 |
Importance : |
177p. |
Présentation : |
ill. |
Format : |
30cm. |
Langues : |
Français (fre) |
Mots-clés : |
Nitrure de gallium (GaN), Nitrure de gallium d’aluminium (AlGaN),
photodétecteur UV. |
Résumé : |
Dans ce travail, nous avons étudié un dispositif photodétecteur AlGaN/GaN de type
MSM. La modélisation et la simulation ont été effectuées en utilisant le simulateur
SILVACO-TCAD : le diagramme de bandes d'énergie, le potentiel, le profil du champ
électrique, les taux de génération et de recombinaison et la densité du courant de conduction
ont été simulés. Sous obscurité, nous avons obtenu un courant inférieur à 0.2 µA pour une
tension appliquée de 10 V ; sous lumière, nous avons obtenu un courant de 4 mA pour une
tension de polarisation de 10 V, et une tension de seuil de l’ordre de 4 V. La vitesse des
électrons diminuait quand la température augmentait, le meilleur courant est de 2.042 nA Ã
une intensité lumineuse de 1 W/cm
2
pour une longueur d’onde égale à 350 nm. Le rendement
quantique externe à 350 nm était de l’ordre de 69.58% pour AlGaN dopé. |
Etude d’un photodétecteur ultraviolet (UV) à base d’Al(GaN) et simulation de ses propriétés optoélectroniques. [texte imprimé] / ZEHOR ALLAM, Auteur . - 2016 . - 177p. : ill. ; 30cm. Langues : Français ( fre)
Mots-clés : |
Nitrure de gallium (GaN), Nitrure de gallium d’aluminium (AlGaN),
photodétecteur UV. |
Résumé : |
Dans ce travail, nous avons étudié un dispositif photodétecteur AlGaN/GaN de type
MSM. La modélisation et la simulation ont été effectuées en utilisant le simulateur
SILVACO-TCAD : le diagramme de bandes d'énergie, le potentiel, le profil du champ
électrique, les taux de génération et de recombinaison et la densité du courant de conduction
ont été simulés. Sous obscurité, nous avons obtenu un courant inférieur à 0.2 µA pour une
tension appliquée de 10 V ; sous lumière, nous avons obtenu un courant de 4 mA pour une
tension de polarisation de 10 V, et une tension de seuil de l’ordre de 4 V. La vitesse des
électrons diminuait quand la température augmentait, le meilleur courant est de 2.042 nA Ã
une intensité lumineuse de 1 W/cm
2
pour une longueur d’onde égale à 350 nm. Le rendement
quantique externe à 350 nm était de l’ordre de 69.58% pour AlGaN dopé. |
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