Détail de l'auteur
Auteur MEKKI ABDELKADER. BENAMARA |
Documents disponibles écrits par cet auteur (1)
Affiner la recherche Interroger des sources externes
Caractérisations Electriques des hétérostructures à base d'lnp nitruré. / MEKKI ABDELKADER. BENAMARA
Titre : Caractérisations Electriques des hétérostructures à base d'lnp nitruré. Type de document : texte imprimé Auteurs : MEKKI ABDELKADER. BENAMARA Importance : 104p. Présentation : ill. Format : 30cm. Langues : Français (fre) Mots-clés : PHOSPHORE D'indium- nitruration- analyses surfaciques. Résumé : Ce mémoire a trait à la nitruration du phosphure d'indium .le phosphure d'indium est un semiconducteur III-V présentant un fort potentiel dans les domaines de la micro, de la nano et de l'optelectonique . la nitruration est un traitment de surface intervenant dans la croissance d'heterostructures de type InN/InP. La nitruration est reation dans un bati ultravide L'echantillon d'InP est expose a un flux d'azote actif sous une incidence rasant produit par une source a decharge haut tension. Les especes azotees consomment les cristallites d'indium mettallique precedemment creees par le bombardement ionique pour former de l'InN. Caractérisations Electriques des hétérostructures à base d'lnp nitruré. [texte imprimé] / MEKKI ABDELKADER. BENAMARA . - [s.d.] . - 104p. : ill. ; 30cm.
Langues : Français (fre)
Mots-clés : PHOSPHORE D'indium- nitruration- analyses surfaciques. Résumé : Ce mémoire a trait à la nitruration du phosphure d'indium .le phosphure d'indium est un semiconducteur III-V présentant un fort potentiel dans les domaines de la micro, de la nano et de l'optelectonique . la nitruration est un traitment de surface intervenant dans la croissance d'heterostructures de type InN/InP. La nitruration est reation dans un bati ultravide L'echantillon d'InP est expose a un flux d'azote actif sous une incidence rasant produit par une source a decharge haut tension. Les especes azotees consomment les cristallites d'indium mettallique precedemment creees par le bombardement ionique pour former de l'InN. Réservation
Réserver ce document
Exemplaires (3)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité bfst3990 M/531.6-96/01 thèse Salle d'accès libre 531.6 Energies Exclu du prêt bfst3989 M/531.6-96/02 thèse Salle d'accès libre 531.6 Energies Disponible bfst3991 M/531.6-96/03 thèse Salle d'accès libre 531.6 Energies Disponible