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531.6 Energies
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Algorithmes adaptatifs et approximations stochastiques / Albert Benveniste
Titre : Algorithmes adaptatifs et approximations stochastiques : thØorie et applications ? l'identification, au traitement du signal et ? la reconnaissance des formes Type de document : texte imprimé Auteurs : Albert Benveniste ; Michel MØtivier, Auteur ; Pierre Priouret, Auteur Editeur : Issy-les-Moulineaux (Hauts-de-Seine) : Masson Année de publication : 1987 Collection : Techniques stochastiques num. 3 Importance : 384 p. Format : 24 x 16 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-225-81221-7 Langues : Français (fre) Mots-clés : algorithmes probabilitØs calcul Index. décimale : 519510 Résumé : IntØresse Øtudiants de 3e cycle, ingØnieurs, probabilistes, automaticiens, spØcialistes en traitement du signal. Algorithmes adaptatifs et approximations stochastiques : thØorie et applications ? l'identification, au traitement du signal et ? la reconnaissance des formes [texte imprimé] / Albert Benveniste ; Michel MØtivier, Auteur ; Pierre Priouret, Auteur . - Issy-les-Moulineaux (Hauts-de-Seine) : Masson, 1987 . - 384 p. ; 24 x 16 cm. - (Techniques stochastiques; 3) .
ISBN : 978-2-225-81221-7
Langues : Français (fre)
Mots-clés : algorithmes probabilitØs calcul Index. décimale : 519510 Résumé : IntØresse Øtudiants de 3e cycle, ingØnieurs, probabilistes, automaticiens, spØcialistes en traitement du signal. Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité BFSD6979 510-511.2-20/ 01 Livre Salle d'accès libre 531.6 Energies Disponible Algorithmique et structures de donnØes statistiques / L Baba-hamed
Titre : Algorithmique et structures de donnØes statistiques : cours et exercices avec solutions. Type de document : texte imprimé Auteurs : L Baba-hamed ; Hocine.S, Auteur Editeur : alger : opu Année de publication : 2003 Importance : 123p. Format : 22 cm Note générale : module d'informatique tc seti Langues : Français (fre) Mots-clés : algorithmes cours et exercices avec solutions Index. décimale : 511.8 Algorithmique et structures de donnØes statistiques : cours et exercices avec solutions. [texte imprimé] / L Baba-hamed ; Hocine.S, Auteur . - alger : opu, 2003 . - 123p. ; 22 cm.
module d'informatique tc seti
Langues : Français (fre)
Mots-clés : algorithmes cours et exercices avec solutions Index. décimale : 511.8 Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité BFSD 6983 510-511.8-21/ 01 Livre Salle d'accès libre 531.6 Energies Disponible BFSD 6984 510-511.8-21/ 02 Livre Salle d'accès libre 531.6 Energies Disponible BFSD 6981 510-511.8-21/ 03 Livre Salle d'accès libre 531.6 Energies Disponible BFSD 6982 510-511.8-21/ 04 Livre Salle d'accès libre 531.6 Energies Disponible Caractérisations électriques des matériaux semi conducteurs par la technique de la dmittance / Halima BOUCHENAFA
Titre : Caractérisations électriques des matériaux semi conducteurs par la technique de la dmittance Type de document : texte imprimé Auteurs : Halima BOUCHENAFA Année de publication : 2003 Importance : 115 P Présentation : ILL Format : 30 cm Langues : Français (fre) Mots-clés : Épitaxie en phase vapeur ( V P E )-Carbure Résumé : -Techniques de dopage -Rappels sur les jonction P-Net Schottky -Caractérisation par la technique C-V -Caractérisation Électrique par la technique de l'admittance Caractérisations électriques des matériaux semi conducteurs par la technique de la dmittance [texte imprimé] / Halima BOUCHENAFA . - 2003 . - 115 P : ILL ; 30 cm.
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Épitaxie en phase vapeur ( V P E )-Carbure Résumé : -Techniques de dopage -Rappels sur les jonction P-Net Schottky -Caractérisation par la technique C-V -Caractérisation Électrique par la technique de l'admittance Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité bfst6113 M531.6-56/02 thèse Salle d'accès libre 531.6 Energies Disponible Contribution à létude du comportement des chaines de polymLres dans un fluide critique et dans des nanopores. / Noria ARAB
Titre : Contribution à létude du comportement des chaines de polymLres dans un fluide critique et dans des nanopores. Type de document : texte imprimé Auteurs : Noria ARAB Année de publication : 2007 Importance : 85P Présentation : ILL Format : 30cm Langues : Français (fre) Mots-clés : Fluide critique -Conformation du polymére.Mélange de solvants. Résumé : Etude du comportement conformationel des chaines de pà lyméres immergées un fluide critique et confinées dans un milieu poreux. Contribution à létude du comportement des chaines de polymLres dans un fluide critique et dans des nanopores. [texte imprimé] / Noria ARAB . - 2007 . - 85P : ILL ; 30cm.
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Fluide critique -Conformation du polymére.Mélange de solvants. Résumé : Etude du comportement conformationel des chaines de pà lyméres immergées un fluide critique et confinées dans un milieu poreux. Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité bfst 2688 M530-74/02 thèse Salle d'accès libre 531.6 Energies Disponible Contribution a letude theorique des pertes d'nergie d'un plasma defusion par rayonnement / Tsouria ZENDAGUI
Titre : Contribution a letude theorique des pertes d'nergie d'un plasma defusion par rayonnement Type de document : texte imprimé Auteurs : Tsouria ZENDAGUI Importance : 74 P Présentation : ILL Format : 30 cm Langues : Français (fre) Mots-clés : Plasmas de tokamak-Température ignition.Bilan synergie- collision Électron-ion. Résumé : Une technique actuellement développée créer les conditions favorables ? la fusion controlatérale des noyaux de deutérium (D) et de tritium(T) utilise des machines applets tokamaks. Contribution a letude theorique des pertes d'nergie d'un plasma defusion par rayonnement [texte imprimé] / Tsouria ZENDAGUI . - [s.d.] . - 74 P : ILL ; 30 cm.
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Plasmas de tokamak-Température ignition.Bilan synergie- collision Électron-ion. Résumé : Une technique actuellement développée créer les conditions favorables ? la fusion controlatérale des noyaux de deutérium (D) et de tritium(T) utilise des machines applets tokamaks. Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité bfst5916 M531.6-18/02 thèse Salle d'accès libre 531.6 Energies Disponible Etude et identification des défauts de matériaux utilisés dans les systèmes photovoltaïques. / Malika BOUDJEMA
Titre : Etude et identification des défauts de matériaux utilisés dans les systèmes photovoltaïques. Type de document : texte imprimé Auteurs : Malika BOUDJEMA, Auteur Année de publication : 2016 Importance : 58p. Présentation : ill. Format : 30cm. Langues : Français (fre) Mots-clés : identification des défauts de matériaux utilisés dans les systèmes photovoltaïques. Résumé : Au cours de ce travail, nous avons pu mettre en évidence l’influence des défauts (impuretés)
sur les propriétés électriques d’une cellule solaire à base de silicium (Si) et d’oxyde de zinc (ZnO).
En effet, la présence d’impuretés joue un rôle très important dans le processus de recombinaison.
Une impureté piège un électron (ou trou) qui par attraction coulombienne attire un trou (ou
électron), ce qui provoque la recombinaison. Cette étude a été effectuée par la simulation
numérique par deux types de logiciels ; simulation par « SCAPS » et simulation par
« SILVACO ».
Dans un premier temps, nous avons présenté le fonctionnement d’une cellule photovoltaïque
ainsi que ses caractéristiques. Les matériaux étudiés dans notre projet ont été également exposés.
Dans le deuxième chapitre, nous avons abordé les types de défauts. Nous avons insisté sur les
défauts présents dans les matériaux Si et ZnO et avons remarqué que les défauts ponctuels
(impuretés, lacunes, atomes interstitiels et atomes de substitutions) sont les plus simples Ã
simuler. Enfin, nous avons présenté dans le dernier chapitre nos résultats et les avons
commentés. Dans la première partie de la simulation, nous avons commencé par simuler une
cellule solaire à base se Si. Les meilleurs résultats de cette étude ont donné un rendement de
13,75% (sans défauts) et 13,10% (avec défauts) quant à la cellule à base de ZnO le meilleur
rendement a été de 16,64% (sans défauts) et de 16,56% (avec défauts). Ces paramètres optimaux
ont été trouvés en variant l’épaisseur et le dopage.
Nous avons également effectué une comparaison entre la cellule solaire à base de Si et la
cellule solaire en couche mince à base ZnO soit sans défaut ou avec défaut. La couche mince de
ZnO donne un rendement de conversion meilleur. Ceci peut être expliqué par l’influence sur la
vitesse de recombinaison des porteurs de charge.
Cette étude nous a amené à constater qu’aux faibles dopages, le rendement est faible. Ceci
peut s’expliquer par le champ insuffisant à créer les paires électron-trou. En revanche,
l’augmentation du nombre des dopants peut améliorer la collecte des porteurs photo-générés et
par conséquent favorise l’augmentation du rendement électrique. L’augmentation du niveau de
dopage donne, donc, une amélioration importante du rendement. Un matériau fortement dopé
permet de réduire la recombinaison au niveau du contact métallique. Cette réduction est due à la
création de la barrière de potentiel causé par la différence du dopage entre la face arrière et avant
de la cellule.
Nous projetons dans le futur à étudier en profondeur l’effet d’autres défauts ; les dislocations
par exemple, dans les matériaux en utilisant d’autres logiciels de simulation. Nous comptons
également, perfectionner certaines fonctionnalités des deux logiciels étudiés dans le présent
travail.Etude et identification des défauts de matériaux utilisés dans les systèmes photovoltaïques. [texte imprimé] / Malika BOUDJEMA, Auteur . - 2016 . - 58p. : ill. ; 30cm.
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Mots-clés : identification des défauts de matériaux utilisés dans les systèmes photovoltaïques. Résumé : Au cours de ce travail, nous avons pu mettre en évidence l’influence des défauts (impuretés)
sur les propriétés électriques d’une cellule solaire à base de silicium (Si) et d’oxyde de zinc (ZnO).
En effet, la présence d’impuretés joue un rôle très important dans le processus de recombinaison.
Une impureté piège un électron (ou trou) qui par attraction coulombienne attire un trou (ou
électron), ce qui provoque la recombinaison. Cette étude a été effectuée par la simulation
numérique par deux types de logiciels ; simulation par « SCAPS » et simulation par
« SILVACO ».
Dans un premier temps, nous avons présenté le fonctionnement d’une cellule photovoltaïque
ainsi que ses caractéristiques. Les matériaux étudiés dans notre projet ont été également exposés.
Dans le deuxième chapitre, nous avons abordé les types de défauts. Nous avons insisté sur les
défauts présents dans les matériaux Si et ZnO et avons remarqué que les défauts ponctuels
(impuretés, lacunes, atomes interstitiels et atomes de substitutions) sont les plus simples Ã
simuler. Enfin, nous avons présenté dans le dernier chapitre nos résultats et les avons
commentés. Dans la première partie de la simulation, nous avons commencé par simuler une
cellule solaire à base se Si. Les meilleurs résultats de cette étude ont donné un rendement de
13,75% (sans défauts) et 13,10% (avec défauts) quant à la cellule à base de ZnO le meilleur
rendement a été de 16,64% (sans défauts) et de 16,56% (avec défauts). Ces paramètres optimaux
ont été trouvés en variant l’épaisseur et le dopage.
Nous avons également effectué une comparaison entre la cellule solaire à base de Si et la
cellule solaire en couche mince à base ZnO soit sans défaut ou avec défaut. La couche mince de
ZnO donne un rendement de conversion meilleur. Ceci peut être expliqué par l’influence sur la
vitesse de recombinaison des porteurs de charge.
Cette étude nous a amené à constater qu’aux faibles dopages, le rendement est faible. Ceci
peut s’expliquer par le champ insuffisant à créer les paires électron-trou. En revanche,
l’augmentation du nombre des dopants peut améliorer la collecte des porteurs photo-générés et
par conséquent favorise l’augmentation du rendement électrique. L’augmentation du niveau de
dopage donne, donc, une amélioration importante du rendement. Un matériau fortement dopé
permet de réduire la recombinaison au niveau du contact métallique. Cette réduction est due à la
création de la barrière de potentiel causé par la différence du dopage entre la face arrière et avant
de la cellule.
Nous projetons dans le futur à étudier en profondeur l’effet d’autres défauts ; les dislocations
par exemple, dans les matériaux en utilisant d’autres logiciels de simulation. Nous comptons
également, perfectionner certaines fonctionnalités des deux logiciels étudiés dans le présent
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité bfst1714 MS-531-6-64-01 thèse Salle d'accès libre 531.6 Energies Exclu du prêt Lèenseignement en ligne / Manderscheid Jean Claude
Titre : Lèenseignement en ligne Type de document : texte imprimé Auteurs : Manderscheid Jean Claude, Auteur ; Jeunesse Christophe, Auteur Editeur : Bruxelles : De Boeck Année de publication : 2007 Importance : 356p. Format : 25cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-8041-5329-8 Note générale : index Langues : Français (fre) Mots-clés : Téléenseignement en ligne Lèenseignement en ligne [texte imprimé] / Manderscheid Jean Claude, Auteur ; Jeunesse Christophe, Auteur . - Bruxelles : De Boeck, 2007 . - 356p. ; 25cm.
ISBN : 978-2-8041-5329-8
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Mots-clés : Téléenseignement en ligne Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité bfs27903 000-004-92/ 01 thèse Salle d'accès libre 531.6 Energies Disponible Les mathematiques en licence 1 ere année Tome 1 / Elie Azoulay
Titre : Les mathematiques en licence 1 ere année Tome 1 Type de document : texte imprimé Auteurs : Elie Azoulay, Auteur ; Jean Avignant, Auteur Mention d'édition : 3e edition Editeur : Paris : ediscience Année de publication : 2003 Importance : 412p. Format : 25cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-10-049540-5 Note générale : index Langues : Français (fre) Les mathematiques en licence 1 ere année Tome 1 [texte imprimé] / Elie Azoulay, Auteur ; Jean Avignant, Auteur . - 3e edition . - Paris : ediscience, 2003 . - 412p. ; 25cm.
ISBN : 978-2-10-049540-5
index
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité bfsd7650 510-515-02/ 10-01 Livre Salle d'accès libre 515 Analyse Disponible BFS2370 510-515-02/03-01 Livre Salle d'accès libre 515 Analyse Sorti jusqu'au 23/11/2021 bfs14694 510-515-02/04-01 Livre Salle d'accès libre 515 Analyse Sorti jusqu'au 15/03/2024 bfs14693 510-515-02/05 Livre Salle d'accès libre 515 Analyse Sorti jusqu'au 04/01/2024 bfs14692 510-515-02/06-01 Livre Salle d'accès libre 515 Analyse Sorti jusqu'au 29/11/2023 bfs14695 510-515-02/07-01 Livre Salle d'accès libre 515 Analyse Disponible BFS14750 510-515-02/09-01 Livre Salle d'accès libre 515 Analyse Sorti jusqu'au 11/03/2024 bfs14751 510-515-02/11-01 Livre Salle d'accès libre 515 Analyse Disponible bfs14749 510-515-02/12-01 Livre Salle d'accès libre 515 Analyse Disponible D10192 510-515-02/13-01 Livre Salle d'accès libre 515 Analyse Disponible bfs 14387 510-515-02/ 03-02 Livre Salle d'accès libre 531.6 Energies Disponible bfs 14695 510-515-02/ 07-01 Livre Salle d'accès libre 531.6 Energies Disponible Physique appliquée Tome 1
Titre : Physique appliquée Tome 1 Type de document : texte imprimé Editeur : Paris : Ellipses Année de publication : 2010 Importance : 420p. Format : 25cm. ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7298-5371-6 Note générale : index Langues : Français (fre) Physique appliquée Tome 1 [texte imprimé] . - Paris : Ellipses, 2010 . - 420p. ; 25cm.
ISBN : 978-2-7298-5371-6
index
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité bfs25990 530-530-172/01-01 Livre Salle d'accès libre 530 Physique Exclu du prêt BFS 26940 530-537-172/03-01 Livre Salle d'accès libre 531.6 Energies Disponible bfs25989 530-537-172/02-01 Livre Salle d'accès libre 537 Electricité et electronique Disponible bfs26939 530-537-172/04-01 Livre Salle d'accès libre 537 Electricité et electronique Disponible BFS26938 530-537-172/05-01 Livre Salle d'accès libre 537 Electricité et electronique Exclu du prêt bfs26937 530-537-172/06-01 Livre Salle d'accès libre 537 Electricité et electronique Disponible bfs26936 530-537-172/07-01 Livre Salle d'accès libre 537 Electricité et electronique Disponible bfs26941 530-537-172/08-01 Livre Salle d'accès libre 537 Electricité et electronique Disponible bfs26942 530-537-172/09-01 Livre Salle d'accès libre 537 Electricité et electronique Disponible Physique et mécanique des polymères amorphes / Perez jo
Titre : Physique et mécanique des polymères amorphes Type de document : texte imprimé Auteurs : Perez jo, Auteur Editeur : lavoisier Année de publication : Paris 1992 Importance : 384p Format : 24cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-85206-787-5 Langues : Français (fre) Mots-clés : mécanique . polymères . amorphes Résumé : cet ouvrage propose une approche systémique originale des propriétés physiques et mécaniques des polymères amorphes solides . des concepts peu habituels en ee domaine sont introduits : défauts , mouvements moléculaires collectifs ...un parti pris pluridisciplinaire , et un retour sans complaisansce sur certaines idées consacrées par lhabitude ... Note de contenu : index Physique et mécanique des polymères amorphes [texte imprimé] / Perez jo, Auteur . - lavoisier, Paris 1992 . - 384p ; 24cm.
ISBN : 978-2-85206-787-5
Langues : Français (fre)
Mots-clés : mécanique . polymères . amorphes Résumé : cet ouvrage propose une approche systémique originale des propriétés physiques et mécaniques des polymères amorphes solides . des concepts peu habituels en ee domaine sont introduits : défauts , mouvements moléculaires collectifs ...un parti pris pluridisciplinaire , et un retour sans complaisansce sur certaines idées consacrées par lhabitude ... Note de contenu : index Réservation
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Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité bfs42771 530-531.6-08/01 Livre Salle d'accès libre 531.6 Energies Disponible