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Caractérisation des cellules photovoltaïques à base d’hétérojonction de silicium a-Si/c-Si / Aida Arras
Titre : Caractérisation des cellules photovoltaïques à base d’hétérojonction de silicium a-Si/c-Si Type de document : document multimédia Auteurs : Aida Arras, Auteur Année de publication : 2018. Importance : 65p. Présentation : ill. Format : 30 cm. Langues : Français (fre) Mots-clés : Caractérisation cellules photovoltaïques base hétérojonction silicium a-Si/c-Si Résumé : Dans ce travail nous avons présenté une étude théorique et simulation des cellules solaire à hétérojonction de silicium.
Nous avons simulé, à l’aide de logiciel Afors-Het, deux cellules photovoltaïques à hétérojonction de silicium avec les structures a-Si(p)/c-Si(n) et a-Si(n)/c-Si(p) où on a déterminé l’influence de certaine paramètres (épaisseur, concentration de dopage de chaque couche et l’énergie de gap de silicium amorphe) sur les performances de ces cellules : tension de circuit ouvert VOC, densité de courant de court-circuit JSC, facteur de forme FF et le rendement η.
Comme un résultat de notre simulation, nous avons obtenu les performances suivantes : Voc=710 mV, JSC=44,95 mA/cm2, FF=82,61% et η=26,37% pour la cellule a-Si(n)/a-Si(i)/c-Si(p)/a-Si(p).Caractérisation des cellules photovoltaïques à base d’hétérojonction de silicium a-Si/c-Si [document multimédia] / Aida Arras, Auteur . - 2018. . - 65p. : ill. ; 30 cm.
Langues : Français (fre)
Mots-clés : Caractérisation cellules photovoltaïques base hétérojonction silicium a-Si/c-Si Résumé : Dans ce travail nous avons présenté une étude théorique et simulation des cellules solaire à hétérojonction de silicium.
Nous avons simulé, à l’aide de logiciel Afors-Het, deux cellules photovoltaïques à hétérojonction de silicium avec les structures a-Si(p)/c-Si(n) et a-Si(n)/c-Si(p) où on a déterminé l’influence de certaine paramètres (épaisseur, concentration de dopage de chaque couche et l’énergie de gap de silicium amorphe) sur les performances de ces cellules : tension de circuit ouvert VOC, densité de courant de court-circuit JSC, facteur de forme FF et le rendement η.
Comme un résultat de notre simulation, nous avons obtenu les performances suivantes : Voc=710 mV, JSC=44,95 mA/cm2, FF=82,61% et η=26,37% pour la cellule a-Si(n)/a-Si(i)/c-Si(p)/a-Si(p).Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité bfst2328 ms/531.6-86/01 thèse Salle d'accès libre 531.6 Energies Exclu du prêt