Titre : |
Optimisation et simulation numérique du profil de la couche absorbante et des différentes couches des cellules photovoltaïques à base de CIGS. |
Type de document : |
texte imprimé |
Auteurs : |
ASMA CHADEL, Auteur |
Année de publication : |
2018 |
Importance : |
116p. |
Présentation : |
ill. |
Format : |
30cm. |
Langues : |
Français (fre) |
Mots-clés : |
Cu (In1-x Gax )Se2 , Zn(O,S), Couche tampon, ultramince , SCAPS1-D.
Cu (In1-x Gax )Se2 , Zn(O,S), buffer layer, Ultrathin, SCAPS1-D. |
Résumé : |
L'objectif de cette thèse était de simuler une nouvelle cellule de séléniure de
cuivre, d'indium et de gallium (Cu (In,Ga) Se2) à haute efficacité. Ceci est accompli en créant
un modèle dans le programme SCAPS. Un modèle de référence est testé pour confirmer la
fonctionnalité du logiciel, et une approche par étapes est utilisée pour inclure des
fonctionnalités supplémentaires. La première addition est le remplacement de la couche
tampon traditionnelle CdS de type n par une couche tampon Zn(O,S) de type n. La couche
tampon Zn(O,S) s'est avérée avoir un meilleur alignement de bande que CdS et a entraîné une
amélioration significative des performances du dispositif. La cellule solaire basée sur
Cu(In0.7Ga0.3)Se2/Zn (O, S)/ZnO permet d‟obtenir une performance électrique équivalente à la
cellule solaire qui est basée sur Cu(In0.7Ga0.3)Se2/CdS/ZnO,
Cela est suivi par l‟inclusion de deux couches une couche absorbante graduelle
Cu (In1-x Gax )Se 2 et une couche fenêtre graduelle Zn(O,S) dont le but de réduire l‟épaisseur
de la couche absorbante. La simulation finale a abouti à une cellule Cu (In1-x Gax )Se2 qui
fonctionne à 24.23 % d'efficacité pour un épaisseur 0.3μm de CIGS gradué |
Optimisation et simulation numérique du profil de la couche absorbante et des différentes couches des cellules photovoltaïques à base de CIGS. [texte imprimé] / ASMA CHADEL, Auteur . - 2018 . - 116p. : ill. ; 30cm. Langues : Français ( fre)
Mots-clés : |
Cu (In1-x Gax )Se2 , Zn(O,S), Couche tampon, ultramince , SCAPS1-D.
Cu (In1-x Gax )Se2 , Zn(O,S), buffer layer, Ultrathin, SCAPS1-D. |
Résumé : |
L'objectif de cette thèse était de simuler une nouvelle cellule de séléniure de
cuivre, d'indium et de gallium (Cu (In,Ga) Se2) à haute efficacité. Ceci est accompli en créant
un modèle dans le programme SCAPS. Un modèle de référence est testé pour confirmer la
fonctionnalité du logiciel, et une approche par étapes est utilisée pour inclure des
fonctionnalités supplémentaires. La première addition est le remplacement de la couche
tampon traditionnelle CdS de type n par une couche tampon Zn(O,S) de type n. La couche
tampon Zn(O,S) s'est avérée avoir un meilleur alignement de bande que CdS et a entraîné une
amélioration significative des performances du dispositif. La cellule solaire basée sur
Cu(In0.7Ga0.3)Se2/Zn (O, S)/ZnO permet d‟obtenir une performance électrique équivalente à la
cellule solaire qui est basée sur Cu(In0.7Ga0.3)Se2/CdS/ZnO,
Cela est suivi par l‟inclusion de deux couches une couche absorbante graduelle
Cu (In1-x Gax )Se 2 et une couche fenêtre graduelle Zn(O,S) dont le but de réduire l‟épaisseur
de la couche absorbante. La simulation finale a abouti à une cellule Cu (In1-x Gax )Se2 qui
fonctionne à 24.23 % d'efficacité pour un épaisseur 0.3μm de CIGS gradué |
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