Titre : |
Étude et caractérisation d’un microsystème à base de matériau nitruré AlGaN pour les applications biologique et biomédicale. |
Type de document : |
texte imprimé |
Auteurs : |
OUSSAMA ZEGGAI, Auteur |
Année de publication : |
2015 |
Importance : |
279p. |
Présentation : |
ill. |
Format : |
30cm. |
Langues : |
Français (fre) |
Mots-clés : |
base de matériau nitruré AlGaN - les
applications biologique et biomédicale |
Résumé : |
Les matériaux nitrures présentent un grand intérêt pour la réalisation de dispositifs de détection dans toute la gamme spectrale
allant de l’infrarouge(IR) à l’ultraviolet (UV) grâce à la grande variation de leur largeur de bande interdite (environ 0.8 e V pour
InN, 3.5 eV pour GaN, et 6.3 eV pour AlN). En effet, ce sont des matériaux thermiquement et mécaniquement très robustes.
Depuis sa réapparition au début des années 1990, le nitrure de gallium (GaN) a été considéré comme un matériau semiconducteur
très intéressant et très prometteur pour ses potentialités d’application en optoélectronique pour l’émission et l’absorption dan s
l’ultra-violet et en électronique de puissance. Dans ce domaine, les propriétés physiques des nitrures d’élément III telles que la
large bande d’énergie interdite, une mobilité électronique raisonnable, un fort champ de claquage et une grande stabilité
chimique ont permis à ce système de matériaux d’être un bon candidat pour les applications hyperfréquences à haute puissance
et haute température. La démonstration du premier transistor à haute mobilité électronique (HEMT) à base d’une hétérostructure
d’AlGaN/GaN est venue confirmer le grand potentiel pressenti pour cette filière. Aujourd’hui, ces composants possèdent
pratiquement le meilleur compromis puissance-fréquence dans un large domaine d’utilisation. Les applications s’étalent de
l’électronique de puissance en passant par les communications sans fils jusqu’aux radars et stations de bases et bientôt ils
couvriront le domaine des ondes millimétriques.
Dans notre recherche, l’intérêt majeur réside à étudier des transistors à haute mobilité électronique à base d’AlGaN/GaN utilisés
dans les biocapteurs pour les applications biologique et biomédicale. Nous sommes intéressé à la struct ure de HEMT à base de
hétérostructures d’AlGaN/GaN utilisé dans la construction de biocapteurs, afin de montrer le principe de fonctionnement de
HEMT basé sur la mobilité électronique de gaz bidimensionnel (2DEG) et la vitesse de saturation de canal (2DEG) qui est très
proche de la surface de fonctionnement (grille) pour la détection des analytes présentes dans des solutions biologiques. |
Étude et caractérisation d’un microsystème à base de matériau nitruré AlGaN pour les applications biologique et biomédicale. [texte imprimé] / OUSSAMA ZEGGAI, Auteur . - 2015 . - 279p. : ill. ; 30cm. Langues : Français ( fre)
Mots-clés : |
base de matériau nitruré AlGaN - les
applications biologique et biomédicale |
Résumé : |
Les matériaux nitrures présentent un grand intérêt pour la réalisation de dispositifs de détection dans toute la gamme spectrale
allant de l’infrarouge(IR) à l’ultraviolet (UV) grâce à la grande variation de leur largeur de bande interdite (environ 0.8 e V pour
InN, 3.5 eV pour GaN, et 6.3 eV pour AlN). En effet, ce sont des matériaux thermiquement et mécaniquement très robustes.
Depuis sa réapparition au début des années 1990, le nitrure de gallium (GaN) a été considéré comme un matériau semiconducteur
très intéressant et très prometteur pour ses potentialités d’application en optoélectronique pour l’émission et l’absorption dan s
l’ultra-violet et en électronique de puissance. Dans ce domaine, les propriétés physiques des nitrures d’élément III telles que la
large bande d’énergie interdite, une mobilité électronique raisonnable, un fort champ de claquage et une grande stabilité
chimique ont permis à ce système de matériaux d’être un bon candidat pour les applications hyperfréquences à haute puissance
et haute température. La démonstration du premier transistor à haute mobilité électronique (HEMT) à base d’une hétérostructure
d’AlGaN/GaN est venue confirmer le grand potentiel pressenti pour cette filière. Aujourd’hui, ces composants possèdent
pratiquement le meilleur compromis puissance-fréquence dans un large domaine d’utilisation. Les applications s’étalent de
l’électronique de puissance en passant par les communications sans fils jusqu’aux radars et stations de bases et bientôt ils
couvriront le domaine des ondes millimétriques.
Dans notre recherche, l’intérêt majeur réside à étudier des transistors à haute mobilité électronique à base d’AlGaN/GaN utilisés
dans les biocapteurs pour les applications biologique et biomédicale. Nous sommes intéressé à la struct ure de HEMT à base de
hétérostructures d’AlGaN/GaN utilisé dans la construction de biocapteurs, afin de montrer le principe de fonctionnement de
HEMT basé sur la mobilité électronique de gaz bidimensionnel (2DEG) et la vitesse de saturation de canal (2DEG) qui est très
proche de la surface de fonctionnement (grille) pour la détection des analytes présentes dans des solutions biologiques. |
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