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Etude et Modélisation d’un Transistor Multi-grilles sans jonctions « Junctionless » / MERAD, FAIZA
Titre : Etude et Modélisation d’un Transistor Multi-grilles sans jonctions « Junctionless » Type de document : texte imprimé Auteurs : MERAD, FAIZA, Auteur ; BOUAZZA née GUEN, Ahlam, Auteur Editeur : Univ tlemcen Année de publication : 2022 Importance : 140 p. Présentation : ill. Format : 30 cm Accompagnement : cd Langues : Français (moyen) (frm) Résumé : Les transistors sont les éléments constitutifs fondamentaux des dispositifs électroniques modernes et tous les
transistors existants contiennent des jonctions semi-conductrices. Cependant, Au fur et à mesure que le canal atteint
des longueurs inférieures à 20 nm, le MOSFET conventionnel nécessitera des dopages extraordinairement élevés et
des profils de dopage très raide au niveau des jonctions source-canal et canal-drain. Les nouvelles architectures de
dispositif sans jonction deviennent très intéressantes pour concevoir des transistors MOS avec des longueurs de
canaux ultracourtes. Nous proposons dans ce travail une structure MOSFET sans jonction à grille enrobante et à
section carré hautement évolutif de type GAA JLT-MOSFET. Ce type de dispositif est actuellement considéré comme
l'un des meilleurs candidats pour la conception de dispositifs CMOS nanométriques en raison de la simplicité et
flexibilité de leur procédé de fabrication combinée à d'excellentes performances. Le canal des JLT -MOSFET est
fortement dopé et est identique à celui des régions source/drain (S/D), et une couche mince est nécessaire pour fournir
un épuisement complet des porteurs à l'état OFF de ce dispositif. Ainsi les travaux proposés dans cette thèse sont
dédiés principalement à l’étude et la modélisation par le biais de la simulation d’une structure sans jonction à grille
entourant (GAAJLFET) à l’aide du logiciel SILVACO-TCAD. Les résultats obtenus par simulation nous ont permis
d’évaluer les performances d’un tel dispositif à travers ses caractéristiques électriques permettant de mettre en
évidence l’importance de ce type de dispositif dans les structures nanométriques.Etude et Modélisation d’un Transistor Multi-grilles sans jonctions « Junctionless » [texte imprimé] / MERAD, FAIZA, Auteur ; BOUAZZA née GUEN, Ahlam, Auteur . - Univ tlemcen, 2022 . - 140 p. : ill. ; 30 cm + cd.
Langues : Français (moyen) (frm)
Résumé : Les transistors sont les éléments constitutifs fondamentaux des dispositifs électroniques modernes et tous les
transistors existants contiennent des jonctions semi-conductrices. Cependant, Au fur et à mesure que le canal atteint
des longueurs inférieures à 20 nm, le MOSFET conventionnel nécessitera des dopages extraordinairement élevés et
des profils de dopage très raide au niveau des jonctions source-canal et canal-drain. Les nouvelles architectures de
dispositif sans jonction deviennent très intéressantes pour concevoir des transistors MOS avec des longueurs de
canaux ultracourtes. Nous proposons dans ce travail une structure MOSFET sans jonction à grille enrobante et à
section carré hautement évolutif de type GAA JLT-MOSFET. Ce type de dispositif est actuellement considéré comme
l'un des meilleurs candidats pour la conception de dispositifs CMOS nanométriques en raison de la simplicité et
flexibilité de leur procédé de fabrication combinée à d'excellentes performances. Le canal des JLT -MOSFET est
fortement dopé et est identique à celui des régions source/drain (S/D), et une couche mince est nécessaire pour fournir
un épuisement complet des porteurs à l'état OFF de ce dispositif. Ainsi les travaux proposés dans cette thèse sont
dédiés principalement à l’étude et la modélisation par le biais de la simulation d’une structure sans jonction à grille
entourant (GAAJLFET) à l’aide du logiciel SILVACO-TCAD. Les résultats obtenus par simulation nous ont permis
d’évaluer les performances d’un tel dispositif à travers ses caractéristiques électriques permettant de mettre en
évidence l’importance de ce type de dispositif dans les structures nanométriques.Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité T09995 EDOC600-236/ 01 Thèse قاعة العلوم والتكنولوجيا والطب والعلوم الطبيعة والحياة 600 Technologie Exclu du prêt