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Modélisation du transistor bipolaire intégré. 2, / Philippe Cazenave
Titre : Modélisation du transistor bipolaire intégré. 2, : Dispositifs à hétérojonctions Type de document : texte imprimé Auteurs : Philippe Cazenave Editeur : Paris : Lavoisier Année de publication : 2005 Collection : Traité EGEM Importance : 234 p. Présentation : ill. Format : 24 x 16 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-1172-8 Note générale : Index Langues : Français (fre) Mots-clés : transistors à jonctions Index. décimale : 378.52 Résumé : Description des spécificités des transistors bipolaires à hétérojonctions. Les HBT de type III-V et le HBT SI/SiGe sont détaillés. Présentation de trois modèles bipolaires compacts destinés à remplacer le modèle traditionnel SPICE. Point sur les méthodes d'extraction des paramètres des modèles électriques bipolaires. Modélisation du transistor bipolaire intégré. 2, : Dispositifs à hétérojonctions [texte imprimé] / Philippe Cazenave . - Paris : Lavoisier, 2005 . - 234 p. : ill. ; 24 x 16 cm. - (Traité EGEM) .
ISBN : 978-2-7462-1172-8
Index
Langues : Français (fre)
Mots-clés : transistors à jonctions Index. décimale : 378.52 Résumé : Description des spécificités des transistors bipolaires à hétérojonctions. Les HBT de type III-V et le HBT SI/SiGe sont détaillés. Présentation de trois modèles bipolaires compacts destinés à remplacer le modèle traditionnel SPICE. Point sur les méthodes d'extraction des paramètres des modèles électriques bipolaires. Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité FTM5957 621.621.5.318 Livre magasin d'ouvrages 621.621.5 Electro. Exclu du prêt