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Commande rapprochée de convertisseur statique 2 / Eric Monmasson
Titre : Commande rapprochée de convertisseur statique 2 : Contrôle en courant Type de document : texte imprimé Auteurs : Eric Monmasson, Auteur Editeur : Paris : Lavoisier Année de publication : 2009 Collection : Traité EGEM Importance : 280 p Présentation : ill Format : 24 X 16 CM ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-2384-4 Prix : 90 EUR Note générale : 1, Modulation de largeur d'impulsion ; 2, Contrôle en courant.
Notes bibliogr. IndexLangues : Français (fre) Note de contenu : Convertisseurs électriques
Régulateurs électriques
Machines synchronesCommande rapprochée de convertisseur statique 2 : Contrôle en courant [texte imprimé] / Eric Monmasson, Auteur . - Paris : Lavoisier, 2009 . - 280 p : ill ; 24 X 16 CM. - (Traité EGEM) .
ISBN : 978-2-7462-2384-4 : 90 EUR
1, Modulation de largeur d'impulsion ; 2, Contrôle en courant.
Notes bibliogr. Index
Langues : Français (fre)
Note de contenu : Convertisseurs électriques
Régulateurs électriques
Machines synchronesRéservation
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Exemplaires (2)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité FTM33852 621.378.63.327/01 Livre magasin d'ouvrages 621.378.63. Exclu du prêt FTM33853 621.378.63.327/02 Livre magasin d'ouvrages 621.378.63. Disponible Conception de microsystèmes sur silicium / Salvador Mir
Titre : Conception de microsystèmes sur silicium Type de document : texte imprimé Auteurs : Salvador Mir Editeur : Paris : Lavoisier Année de publication : 2002 Collection : Traité EGEM Importance : 224 p. Présentation : ill. Format : 24 x 16 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-0506-2 Note générale : Bibliogr. Index Langues : Français (fre) Mots-clés : microélectronique Index. décimale : 378.52 Résumé : Présente les dispositifs et les techniques pour leur conception et leur fabrication. Conception de microsystèmes sur silicium [texte imprimé] / Salvador Mir . - Paris : Lavoisier, 2002 . - 224 p. : ill. ; 24 x 16 cm. - (Traité EGEM) .
ISBN : 978-2-7462-0506-2
Bibliogr. Index
Langues : Français (fre)
Mots-clés : microélectronique Index. décimale : 378.52 Résumé : Présente les dispositifs et les techniques pour leur conception et leur fabrication. Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité FTM5962 621.621.5.311 Livre magasin d'ouvrages 621.621.5 Electro. Exclu du prêt La distribution d'énergie électrique en présence de production décentralisée / Nouredine Hadjsaid
Titre : La distribution d'énergie électrique en présence de production décentralisée Type de document : texte imprimé Auteurs : Nouredine Hadjsaid, Auteur Editeur : Paris : Lavoisier Année de publication : 2010 Collection : Traité EGEM Importance : 263 P Présentation : ill Format : 16 X24 CM ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-2218-2 Note générale : Tables des matières Langues : Français (fre) Résumé : Le traité Électronique, Génie Électrique, Micro systèmes répond au besoin de disposer d'un ensemble de connaissance, méthodes et outils nécessaires à la maitrise de la conception, de la fabrication et de l'utilisation des composants, circuits et systèmes utilisant l'électricité, l'optique et l'électronique comme support. La distribution d'énergie électrique en présence de production décentralisée [texte imprimé] / Nouredine Hadjsaid, Auteur . - Paris : Lavoisier, 2010 . - 263 P : ill ; 16 X24 CM. - (Traité EGEM) .
ISBN : 978-2-7462-2218-2
Tables des matières
Langues : Français (fre)
Résumé : Le traité Électronique, Génie Électrique, Micro systèmes répond au besoin de disposer d'un ensemble de connaissance, méthodes et outils nécessaires à la maitrise de la conception, de la fabrication et de l'utilisation des composants, circuits et systèmes utilisant l'électricité, l'optique et l'électronique comme support. Réservation
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Exemplaires (2)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité FTM16386 621.378.63.221/01 Livre magasin d'ouvrages 621.378.63. Disponible FTM16387 621.378.63.221/02 Livre magasin d'ouvrages 621.378.63. Disponible Les entraînements électriques / Marcel JUFER
Titre : Les entraînements électriques : méthodologie de conception Type de document : texte imprimé Auteurs : Marcel JUFER, Auteur Editeur : Paris : Lavoisier Année de publication : 2010 Collection : Traité EGEM Importance : 1 vol. (246-VI p.) Présentation : ill., couv. ill. Format : 24 X 16 CM ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-1893-2 Prix : 95 EUR Note générale : Bibliogr. p. 235. Index Langues : Français (fre) Note de contenu : Commande électrique
Dispositifs électromécaniques
Moteurs électriquesLes entraînements électriques : méthodologie de conception [texte imprimé] / Marcel JUFER, Auteur . - Paris : Lavoisier, 2010 . - 1 vol. (246-VI p.) : ill., couv. ill. ; 24 X 16 CM. - (Traité EGEM) .
ISBN : 978-2-7462-1893-2 : 95 EUR
Bibliogr. p. 235. Index
Langues : Français (fre)
Note de contenu : Commande électrique
Dispositifs électromécaniques
Moteurs électriquesRéservation
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Exemplaires (2)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité FTM33856 621.378.63.326/01 Livre magasin d'ouvrages 621.378.63. Exclu du prêt FTM33857 621.378.63.326/02 Livre magasin d'ouvrages 621.378.63. Disponible Modélisation du transistor bipolaire intégré. 2, / Philippe Cazenave
Titre : Modélisation du transistor bipolaire intégré. 2, : Dispositifs à hétérojonctions Type de document : texte imprimé Auteurs : Philippe Cazenave Editeur : Paris : Lavoisier Année de publication : 2005 Collection : Traité EGEM Importance : 234 p. Présentation : ill. Format : 24 x 16 cm ISBN/ISSN/EAN : 978-2-7462-1172-8 Note générale : Index Langues : Français (fre) Mots-clés : transistors à jonctions Index. décimale : 378.52 Résumé : Description des spécificités des transistors bipolaires à hétérojonctions. Les HBT de type III-V et le HBT SI/SiGe sont détaillés. Présentation de trois modèles bipolaires compacts destinés à remplacer le modèle traditionnel SPICE. Point sur les méthodes d'extraction des paramètres des modèles électriques bipolaires. Modélisation du transistor bipolaire intégré. 2, : Dispositifs à hétérojonctions [texte imprimé] / Philippe Cazenave . - Paris : Lavoisier, 2005 . - 234 p. : ill. ; 24 x 16 cm. - (Traité EGEM) .
ISBN : 978-2-7462-1172-8
Index
Langues : Français (fre)
Mots-clés : transistors à jonctions Index. décimale : 378.52 Résumé : Description des spécificités des transistors bipolaires à hétérojonctions. Les HBT de type III-V et le HBT SI/SiGe sont détaillés. Présentation de trois modèles bipolaires compacts destinés à remplacer le modèle traditionnel SPICE. Point sur les méthodes d'extraction des paramètres des modèles électriques bipolaires. Exemplaires (1)
Code-barres Cote Support Localisation Section Disponibilité FTM5957 621.621.5.318 Livre magasin d'ouvrages 621.621.5 Electro. Exclu du prêt Technologies stockage d'énergie / Yves Brunet
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